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碳化硅聚焦环陶瓷资料
更新时候:2023-03-11 14:50:50  |  来历:  |  点击次数:1569次

      跟着半导体手艺的成长,等离子体刻蚀逐步成为半导体制作工艺普遍利用的手艺。等离子体刻蚀产生的等离子体具备很强的侵蚀性,在刻蚀晶圆的进程中也会对工艺腔腔体和腔体内部件构成严峻侵蚀,以是半导体加工装备中与等离子体打仗的部件须要有较好的耐等离子体刻蚀机能。

      绝对无机和金属资料,陶瓷资料普通都具备较好的耐物理和化学侵蚀机能和很高的任务温度,因此在半导体产业中,多种陶瓷资料已成为半导体单晶硅片制作工序和前道加工工序的装备焦点部件制作资料,如SiC,AlN,Al2O3和Y2O3等。在等离子情况中陶瓷资料的挑选取决于焦点部件所处的任务情况和对制程产物的品德请求,如耐等离子刻蚀机能,电机能,绝缘性等。等离子刻蚀装备利用陶瓷资料的部件首要有视窗镜、静电卡盘、聚焦环等。

♓       此中,聚焦环的首要目标是供给平均的等离子体,用于确保刻蚀的分歧性和精确性。同时,它还须要具备与硅晶圆附近的电导率。导电硅作为一种经常利用的聚焦环资料,它与硅晶圆的电导率几近靠近,但缺乏是在含氟等离子体中耐刻蚀性差,刻蚀机部件资料经常利用一段时候后就会呈现严峻侵蚀的景象,严峻下降其出产效力。
除与硅具备类似的电导率之外,还具备杰出的耐离子刻蚀机能,绝对导电硅,它更合适用作聚焦环资料。

😼       SiC因其优良的机能被普遍用于半导体加工装备部件,比方
具备优良的耐低温特征,普遍利用于各类堆积装备的焦点部件资料。碳化硅具备优良的导热率和与Si片较婚配的电导率被用作聚焦环资料,并且SiC具备加倍优良的耐等离子刻蚀机能,是极好的备选资料。

      有研讨职员研讨了
在碳氟等铝阴阳铁阴阳离子中的刻蚀不可逆性,其学术观点标注炭化硅经碳氟等铝阴阳铁阴阳离子刻蚀后,内心造成了一系类电化学造成购成薄薄一半碳氟高聚物物boppbopp薄膜,该boppbopp薄膜可严令禁止抗逆性氟基等铝阴阳铁阴阳离子体进1步与基体造成了造成,于是坚决Si,其耐等铝阴阳铁阴阳离子刻蚀功能四倍良好。

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